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芯片、微小电子器件的测试。目前，普赛斯仪表已拥有涵盖直流源表、脉冲源表、窄脉冲源、大电流脉冲源、高电流源、高电压源、大功率激光器测试电源、插卡式源表、数据采集卡、脉冲恒压源等完整的国产化数字源表解决方案，可为不同领域、不同需求的用户提供全方位的测试支持，打造高效、灵活的微电子材料器件测试系统! ...
概述： SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可...
芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可靠性。 基于模块化的体系结构设计，SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要，灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量，同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量。SPA-6100半导体参数分析仪搭载普赛斯自主开发的专...
芯片温度TL——15——35℃输出光功率PoCW——40——nw阈值电流IthTL=25℃————40mA正向电压VfPO=PL————2.5V中心波长入cPO=PLCW,20℃ITU中心波长nm线宽△入PO=PL，TL=25°C——1——MHZ偏振消光比PER————20——dB光隔离度ISO————32——dB单模抑制比SMSRPO=PL30————dB相对强度噪声RINCW,TL=25℃————-160dB/Hz背...
芯片温度TL——15——35℃输出光功率PoCW——40——nw阈值电流IthTL=25℃————40mA正向电压VfPO=PL————2.5V中心波长入cPO=PLCW,20℃ITU中心波长nm线宽△入PO=PL，TL=25°C——1——MHZ偏振消光比PER————20——dB光隔离度ISO————32——dB单模抑制比SMSRPO=PL30————dB相对强度噪声RINCW,TL=25℃————-160dB/Hz背...
芯片温度TL——15——35℃输出光功率PoCW——40——nw阈值电流IthTL=25℃————40mA正向电压VfPO=PL————2.5V中心波长入cPO=PLCW,20℃ITU中心波长nm线宽△入PO=PL，TL=25°C——1——MHZ偏振消光比PER————20——dB光隔离度ISO————32——dB单模抑制比SMSRPO=PL30————dB相对强度噪声RINCW,TL=25℃————-160dB/Hz背...
芯片温度TL——15——...
980nm单波长激光器(泵浦激光器)980nm Single Wavelength Laser (Pumped Laser )980nm单波长激光器采用带有光纤FBG锁频的蝶形半导体激光芯片，专业设计的驱动电路与TEC控制保证激光器安全工作，输出功率和光谱稳定。适合作为光纤激光器或EDFA光纤放大器的泵浦激光源，可以提供台式或模块式封装。The 980nm single-wavelength laser ado...
概述： SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可...
芯片温度Chip temperatureTL——15——35℃输出光功率Output optical powerPoCW——40——Nv阈值电流Threshold currentIthTL=25℃————40Ma正向电压Forward voltageVfPO=PL————2.5V中心波长Center wavelength入cPO=PL CW,20℃≤TL≤35ITU中心波长ITU Center wavelengthNm线宽Linewidth△入PO=PL，TL=25°C——1——MHz偏振消光...
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