DAtion2.2.3标识identifying无NO2.3 接口要求Interface requirements信号输出接口Signal output interfaceSMA-K控制信号输入接口Control signal input interfaceSMA-K电源接口power interface穿心电容Penetrating capacitor输出功率调节接口Output power regulation interfaceØ3mm,一字型多圈电位器Ø 3mm, slotted m...
DArd version0.5w高功率版本High power version10w工作温度Operating Temperature 02060℃储存温度Storage Temperature -10-70°C[1]. 波长越长,调谐范围越大[1]. Longer the wavelength, larger the tuning range[2] 光纤芯越小,损耗越高。使用宽带光源对传输峰值进行集...
模拟声光驱动电源 Analog Acousto-optic Drive Power Model:GA-RF-M-080M-2.5W-R2技术要求 Technical Requirements1.功能及性能Functions and Perf...
光纤激光器雷达源Fiber Laser for LiDAR〖规格Specifications〗参数Parameter规格Specification单位Unit工作波长Operating Wavelength1,550nm重复率Repetition Rate1,000kHz脉冲宽度Pulse Width1 ~ 20ns平均功率Average Power1,000mW峰值功率Peak Power1kW通信协议Communication ProtocolRS232 耗Power Consum...
DAnceZINIF=Iop—50—Ω热敏电阻Thermal resistorRTH@+25℃9.51010.5kΩ中心波长Center wavelengthλcCW,IF=Iop—1310/1550—nm输出光功率Output optical powerPOCW,IF=Iop—10—mW边模抑制比Side mode suppression ratioSMSRCW,IF=Iop35——dB相对强度噪声Relative intensity noiseRIN100MHz-18GHz—-150—dB/Hz监控电流Monitor c...
SOI高速多通道光衰减器SOI High Speed Multichannel VOASOI芯片式多通道可调光衰减器,基于硅基载流子色散效应实现高速响应的可调光路衰减,实现多通道VOA器件单片化集成,芯片与多通道光纤阵列和外围驱动电路一体化光电封装,数字化驱动,偏振相关性小,衰减范围大,调节精度高,衰减值稳定,响应时间为纳秒级,可在高速、低时延系统...
DArk current nA35 50 3 dB模拟带宽 3 dB bandwidthGHz 28 光饱和功率 Optical saturation powermW10 响应度 ResponsibilityA/W0.8 0.85 90度光学混频器损耗 90°mixer lossdB66.56.7 90度光学混频器相位失衡度 90°mixer phase unbalance°5 通道...
SOI芯片可调光滤波器阵列SOI Chip-based Tunable Optical Filter〖性能指标Specifications〗参数指标Parameters 单位Unit最小值Min.典型值Typ. 最大值Max.备注Notes波长范围 Wavelength range nm1530—1570 nm 或 1270nm—1330 nm1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm 可调波长分辨率...
单片集成 6 比特光延时芯片Single-chip Integrated 6 Bit Optical Delay Chip〖简介Introduction〗 梓冠光电的单片集成 6 比特光延时芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产品。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下,硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级,厚膜 SOI 硅...
硅基单片集成 9bit 可调光时延线芯片Single-chip Integrated 9 Bit Optical Delay Chip〖简介Introduction〗 单片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术,是目前综合性能最优和集成度最高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构,芯片集...