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ET、BJT、晶体管、IGBT； 第三代半导体材料/器件； 有机OFET器件； LED、OLED、光电器件； 半导体电阻式等传感器； EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管； 电阻率系数和霍尔效应测量； 太阳能电池； 非易失性存储设备； 失效分析；更多有关分立器件检测仪iv+cv测试仪详情找普赛斯仪表专员为您解答一八一四零六六三四七六...
ET管测试；三极管测试- LIV：PIN管扫描测试- Gummer：双台源表使用同样参数进行扫描微电测试数字源表应用领域：分立器件特性测试：电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、BJT三极管、MOSFET、SiC、GaN等器件；能量与效率特性测试：LED/AMOLED、太阳能、电池、DC/DC转换器；传感器特性测试：电阻率、霍尔效应...
按压式 偏振控制器特点 应用低损耗高速电信系统紧凑型波分复用系统易于连接光纤激光器低成本光纤传感器系统 特点应用低损耗高速电信系统紧凑型波分复用系统易于连接光纤激光器低成本光纤传感器系统对波长变化不敏感保偏光纤系统适用于任何尺寸的光纤远程系统规格参数:插入损耗< 0.05 dB回波损耗> 65 dB工作波长405~1700nm消光...
高精度多通道光纤延迟线1fs产品特性延迟机械装置连续可靠工作宽延迟范围电动光延迟线产品特性 应用领域延迟机械装置 &...
普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。 进行 C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信号进行测量。一般使用的交流信号频率在10KHz 到1MHz之间。所加载的...
ET、BJT、晶体管、IGBT； 第三代半导体材料/器件； 有机OFET器件； LED、OLED、光电器件； 半导体电阻式等传感器； EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管； 电阻率系数和霍尔效应测量； 太阳能电池； 非易失性存储设备； 失效分析；更多有关晶体管特性图示仪详情找普赛斯仪表专员为您解答一八一四零六六三四七六...
机械式光开关产品特点应用插入损耗极低无源光网络体积小光保护系统低信道串扰测量系统高稳定性网络监控工作波长 （nm） 532~980（MM）532~980（SM）1260~1620（MM）1260~1620（SM）测试波长(可选)nm650/780/850/980650/780/850/9801310/1490/1550/16251310/1490/1550/1653插入损耗 &nb...
光环形器特性应用低插损光纤传感高消光比光纤激光器高稳定可靠性光纤放大器参数指标(单轴)参数单位规格类型-Type A端口类型-3 Ports4 Ports中心波长nm1310 or 1550工作波长带宽nm±30典型插入损耗 23℃dB0.71.1最大插入损耗23℃dB0.91.3典型峰值隔离度 23℃dB45最小隔离度23℃dB35典型消光比23℃dB18最小串扰dB50最...
电动光延迟线产品特性 应用领域延迟机械装置 雷达测试、校准连续可靠工作&n...
单纤/双纤准直器产品特点应用低损耗光纤实验用低回反激光束准直高环境稳定性光纤到光纤耦合参数P级波长(nm)1310±30nm,1550±30nm1310/1550±30nm,980/1550±30nm 或客户定插损（典型）（dB）0.17插损（最大）（dB）0.20回损(典型)65光束直径(mm)<0.5工作温度(℃)-20℃~＋75℃存储温度(℃)-40℃~＋85℃封装尺寸3.2×9 or 10mm...
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