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FET管测试；三极管测试- LIV：PIN管扫描测试- Gummer：双台源表使用同样参数进行扫描微电测试数字源表应用领域：分立器件特性测试：电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、BJT三极管、MOSFET、SiC、GaN等器件；能量与效率特性测试：LED/AMOLED、太阳能、电池、DC/DC转换器；传感器特性测试：电阻率、霍尔效应...
FET、BJT、晶体管、IGBT； 第三代半导体材料/器件； 有机OFET器件； LED、OLED、光电器件； 半导体电阻式等传感器； EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管； 电阻率系数和霍尔效应测量； 太阳能电池； 非易失性存储设备； 失效分析；更多有关晶体管特性图示仪详情找普赛斯仪表专员为您解答一八一四零六六三四七六...
AWG波分复用模块〖特性FEatures〗n 低损耗n 宽工作带宽n 高通道隔离度n 高稳定性和可靠性〖应用Applications〗n 波分复用网络n 电信通信n 接入网〖性能参数Performance Parameter〗参数/ParametersSpecifications (Flat-Top)单位/UnitMin.Max.通道数/Number of Channels96CH监控端波长Monitor Wav...
FEature低插损高Pitch-core应用/ Application集成光子收发模块规格/ Spec4到64通道模场转换光纤阵列参数性能指标产品类型模场转换光纤类型：UHNA1工作波长1100-1600nm插损IL<=0.4dB消光比 ER25--30dB性能指标产品类型模场转换光纤类型：UHNA7工作波长1500-2000nm插损IL<=0.65dB消光比 ER>30dB多通道保偏模场转换光...
FEature相干信噪比高应用/ Application光纤陀螺光纤水听器DWDM/EDFA集成光子规格/ Spec1到8通道技术参数/Parameter参 数规 格单模光纤类型PM Panda 1550偏转角度＜= 3度消光比ER>25dB插损IL<= 1.2dB接头宽key,窄key,客户定制...
FE operation of the laser,and the output power and spectrum stability.Suitable as a pumped laser source for fiber lasers or EDFA fiber amplifiers,can provide the benchtop or modular packages. 〖性能参数Performance Parameter〗参数指标Parameters单位Unit典型值Typ.备注Notes工作波长Operating Wavele...
FET、BJT、晶体管、IGBT； 第三代半导体材料/器件； 有机OFET器件； LED、OLED、光电器件； 半导体电阻式等传感器； EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管； 电阻率系数和霍尔效应测量； 太阳能电池； 非易失性存储设备； 失效分析；...
1950nm中红外激光器规格参数中心波长 (nm)1950输出功率 (mW)35mW,或更高带宽 (FWHM)85（±5nm）输出功率稳定性 (dB)±5% (30 分钟热身)输出光纤SMF-28工作温度（℃）5～ 35储存温度（℃）-10 ～65相对湿度 （％）20～80电源供应110/220V AC,+5VDC;>500mA尺寸(长×宽×高 mm)260×285×115...
半导体分立器件根据基材不同,可分为不同类型。以硅基半导体为基材时,半导体分立器件主要包括二极管(Diode)、三极管(BJT)、晶闸管(SCR)、场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等；以宽禁带材料半导体为基材时,半导体分立器件主要包括:SiC.GaN半导体功率器件。二三极管iv测试仪iv曲线扫描仪认准普赛斯仪表，普赛斯数字源表集...
FET、SiC、GaN等器件；能量与效率特性测试：LED/AMOLED、太阳能、电池、DC/DC转换器；传感器特性测试：电阻率、霍尔效应等；有机材料特性测试：电子墨水、印刷电子技术等；纳米材料特性测试：石墨烯、纳米线等；激光器特性测试：窄脉冲LIV测试系统；功率器件：静态测试系统；电流传感器：动静态参数测试系统；...
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