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HT150g四、射频微波功率放大器8-12GHz外形尺寸图（Outline Drawing）单位：毫米/英寸（mm/inch）五、射频微波功率放大器8-12GHz拓展资料一、射频微波功率放大器8-12GHz工作原理（Working principle）8-12GHz功率放大器的工作原理基于电子元件的放大特性。其核心部件通常是高性能的晶体管或场效应管，这些电子元件能够根据输入信号的幅...
SOI高速光开关阵列 SOI高速光开关阵列，该产品基于硅基载流子色散效应实现纳秒级高速响应的光路切换，实现了多通道光开关阵列的单片化集成，芯片与多通道光纤和外围驱动电路一体化光电封装，热电混调，数字化驱动，偏振相关性小，插入损耗低。 SOI高速光开关阵列特性多通道高集成度芯片...
SOI高速多通道光衰减器 SOI芯片式多通道可调光衰减器，基于硅基载流子色散效应实现高速响应的可调光路衰减，实现多通道VOA器件单片化集成，芯片与多通道光纤阵列和外围驱动电路一体化光电封装，数字化驱动，偏振相关性小，衰减范围大，调节精度高，衰减值稳定，响应时间为纳秒级，可在高速、低时延系统中应...
SOI高速多通道光衰减器 SOI芯片式多通道可调光衰减器，基于硅基载流子色散效应实现高速响应的可调光路衰减，实现多通道VOA器件单片化集成，芯片与多通道光纤阵列和外围驱动电路一体化光电封装，数字化驱动，偏振相关性小，衰减范围大，调节精度高，衰减值稳定，响应时间为纳秒级，可在高速、低时延系统中应...
单片集成 6 比特光延时芯片 梓冠光电的单片集成 6 比特光延时芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产品。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平...
SOI芯片可调光滤波器阵列SOI芯片式可调光滤波器阵列，该产品基于硅基热调谐微环结构，光滤波器的中心波长和隔离度可调，实现了多通道光滤波器的单片集成，通过特殊设计实现了偏振无关特性，光电封装，数字化驱动。SOI芯片可调光滤波器阵列特性多通道高集成度芯片化偏振无关SOI芯片可调光滤波器阵列应用领域光纤传感光纤通信光网络增益...
硅基单片集成 9bit 可调光延迟线芯片 单片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术，是目前综合性能最优和集成度最高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构，芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路，延时切换时间达到 200ns 以下，最大总时延量 1022ps；延时精度 0.5ps，片内...
FMCW测距雷达一、FMCW测距雷达定义连续波雷达的发射信号可以是单频连续波(CW)或者调频连续波(FMCW)，调频方式也有多种，常见的有三角波、锯齿波、编码调制或者噪声调频等。单频连续波雷达仅可用于测速，无法测距，而FMCW雷达既可测距又可测速，在近距离测量上的优势日益明显。二、FMCW测距雷达产品特性1、非接触/全天候探测2、不受温...
射频放大器模块0.8～18GHz一、射频放大器模块0.8～18GHz的定义0.8～18GHz放大器模块是一种专门设计用于放大0.8至18GHz频段内射频信号的组件。它通常由功率放大和增益控制两部分组成，能够将小信号放大至所需功率水平，确保信号在传输过程中的稳定性和可靠性。二、射频放大器模块0.8～18GHz的特点1、高性能：我们的0.8～18GHz放大器模...
射频放大器模块0.1～40GHz一、射频放大器模块0.1～40GHz的定义射频放大器模块0.1～40GHz，是一种专门设计用于放大0.1至40GHz频段内射频信号的电子设备。它能够将微弱的射频信号放大至足够高的功率水平，以满足无线通信、雷达探测、电子对抗等多种应用场景的需求。该模块集成了输入匹配网络、功率放大单元和输出匹配网络，确保信号在放...
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