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IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试，并具有卓越的测量效率、一致性与可靠性。让任何工程师使用它都能变成行业专家。 针对用户不同测试场景的使用需求，普赛斯全新推出PMST功率器件静态参数测试系统、PMST-MP功率器件静态参数半自动化测试系统、PMST-AP功率器件静态参数全自动化测试系统三款功...
IGBT； 第三代半导体材料/器件； 有机OFET器件； LED、OLED、光电器件； 半导体电阻式等传感器； EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管； 电阻率系数和霍尔效应测量； 太阳能电池； 非易失性存储设备； 失效分析；更多有关分立器件检测仪iv+cv测试仪详情找普赛斯仪表专员为您解答一八一四零六六三四七六...
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E系列高压程控电源IGBT耐压测试特点和优势： 十ms级的上升沿和下降沿； 单台最大3500V的输出； 0.1%测试精度； 同步电流或电压测量； 支持程控恒压测流，恒流测压，便于扫描测试；详询一八一四零六六三四七六；部分技术参数最大输出功率：350W，3500V/100mA（不同型号有差异）；输出电压建立时间典型值：< 5ms；输出接口：E10...
IGBT器件IGBT半桥模块 IPM模块武汉普赛斯仪表有限公司，是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品，专注于第三代半导体测试，提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。未来，普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表（SMU）的测试方案，以更优的测试能力、更准确的测量结果...
普赛斯功率器件测试设备+IGBT模块测试仪,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询一八一四零六六三四七六；“双高”系统优势 高电...
半导体分立器件根据基材不同,可分为不同类型。以硅基半导体为基材时,半导体分立器件主要包括二极管(Diode)、三极管(BJT)、晶闸管(SCR)、场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等；以宽禁带材料半导体为基材时,半导体分立器件主要包括:SiC.GaN半导体功率器件。二三极管iv测试仪iv曲线扫描仪认准普赛斯仪表，普赛斯数字源表集...
产品描述见合八方的半导体光放大器（SOA）系列产品，主要应用于40G/100G 1310nm（4波LWDM/CWDM）光放大。该系列产品基于清华大学光电集成微系统研究所的标准封装平台，采用密封的无机封装技术，保证了产品的可靠性。产品特点• 全工艺国产，自主可控• 低功耗，典型驱动电流120mA，满足高速ROSA低功耗需求• 支持温度...
IGBT、传感器、小型模块组件光通讯（如：收发器 Transceiver 高低温测试、SFP 光模块高低温测试等）其它电子行业、航空航天新材料、实验室研究特点· 温度变化速率快，-55℃至+125℃之间转换最快仅需10秒· 有效温度范围，-65℃至+225℃· 结构紧凑，移动式设计· 触摸屏操作，人机交互界面· 快速DUT温度稳定时间· 温控精度±1℃，...
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