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InGaAs 校准波长 850 nm, 1300 nm, 1310 nm, 1490 nm, 1550 nm, 1625 nm 测量范围 +10 至 -52 dBm (850 nm) +10 至 -60 dBm (1300, 1310, 1490,...
InGaAs InGaAs 相对湿度 <95% <95% 工作海拔 <2500m <2500m 重量（g） 185 185 外形尺寸（mm） 140（L）*62（W）*31（H） 140（L）*62（W）*31（H） OPM-201/OPM-202光功率计订购信息 主机，电池，说明书，软包 ...
InGaAs（Ф 2mm） 波长响应范围 800 ～ 1700nm 测量范围 -70 ～ +10dBm 线性度 ±0.2dB 重复性 ±0.05dB 功率准确度 ±5% 光输入方式 FC、SC、ST、裸纤或万能适配器等可选 显示分辨率 线性方式：0.01；对数方式：（0.01、0.1）dB/dBm...
2.5 Gbps APD (Avalanche Photo-Diode) 这是半导体二极管芯片，先在Inp上盛装InGaAs，之后在进行多阶段的化合物半导体工艺时切断而制造。 APD芯片有放大功能，在制作过程中需要复杂和精密的工艺。 ...
带温控光电探测器驱动模块集成了InGaAs雪崩光电探测器、探测器驱动、探测器温控、信号检测放大、信号放大整形输出等部分。温控电路可保证APD工作在一定的温度（恒温25℃），即使外界环境温度变化，APD 始终能保持一致的工作状态。可应用于连续或者脉冲光信号的精确检测和放大整形、高精度温度传感以及恶劣工作环境等领域。 ...
InGaAs 2pcs 适配器类型(mm) Ø 0.25用于裸纤 Ø 0.9/2.0/3.0用于尾纤 信号方向 左右LED指示 相对光功率值 数码显示 光信号频率 270Hz, 1KHz, 2KHz LED指示灯显示 工作温度(°C) －10~+60 存储温度(°C) -25~+70 电池 ...
InGaAs φ2.0mm 测量范围（dBm） -70～+6 不确定度 ±3％ 显示分辨率 对数显示：0.001 光接口类型 多头互换 工作温度（°C） -10~+60 存储温度（℃） -25~+70 工作电源 AC 220V ±15％ 50Hz±10Hz 外形尺寸（mm） 300×260×120 ...
InGaAs φ2.0mm 测量范围（dBm） -70～+6 不确定度 ±3％ 显示分辨率 对数显示：0.001 光接口类型 多头互换 工作温度（℃） -10~+60 存储温度（℃） -25~+70 工作电源 AC 220V ±15％ 50Hz±10Hz 外形尺寸（mm） 300×260×120 ...
InGaAs φ1.0mm 检测范围（dBm） -70~+10 -50~+30 不确定度 ±5% 显示分辨率 0.01dBm 电源 4节AA5号电池，AC适配器9V 工作温度（℃） -10~+60 存储温度（℃） -25~+70 外形尺寸（mm） 180×80×48 重量（g） 360 上海玉炜电子科技有限公司...
InGaAs 功率测量范围（dBm） -70～+6 -50～+26 不确定度 ±5% 标准波长（nm） 850、980、1310、1490、1550（可依客户需求订制） 显示分辨率 线性显示：0.1% 对数显示：0.01dBm 工作温度（℃） -10～+60 存储温度（℃） -25～+70 自动关机时间（min） 1...
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