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模场转换光纤阵列( MFD-FA ) 描述 / Description模场直径转换FA提供一种低损耗耦合到具有较小模场的波导的方法，采用一小段超高数值孔径单模光纤( UHNA)拼接到标准的SM或PM光纤的尾纤上...
mems光开关阵列性能指标工作波长范围1260-1650nm工作波长1310nm/1550nm插入损耗≤2.0dB波长相关损耗≤0.8dB温度相关损耗≤0.5dB偏振相关损耗≥0.3dB回波损耗≥50dB串扰值≥50dB重复性±0.1dB切换时间≤10ms最大承受光功率≤500mW光纤类型SM-9/125光接口类型FC/APC/法...
MEMS光开关32x32 特性 ...
Midity (%)20～80电源供应Power supply110/220V AC,+5V DC;>500mA尺寸(长×宽×高 mm)Dimensions (L×W×H mm)260×285×115〖订货信息ordering information〗ZG类型Type输出功率Output Power连接器Connector M=ModuleD=Desk-top10=10mW50=5mFC/UPCFC/APC...
半导体分立器件根据基材不同,可分为不同类型。以硅基半导体为基材时,半导体分立器件主要包括二极管(Diode)、三极管(BJT)、晶闸管(SCR)、场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等；以宽禁带材料半导体为基材时,半导体分立器件主要包括:SiC.GaN半导体功率器件。二三极管iv测试仪iv曲线扫描仪认准普赛斯仪表，普赛斯数字源表集...
参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA100激光二极管反向电压Vr(LD)V2背光探测器工作电流If(PD)mA2背光探测器反向电压Vr(PD)V20致冷器工作电流ITEC A1.2致冷器工作电压VTECV4工作温度Topr℃0～+90储存温度Tstg℃-40～+85管脚焊接温度/时间Tsld℃/s260/10...
参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA400激光二极管反向电压Vr(LD)V3致冷器工作电流ITEC A1.8致冷器工作电压VTECV4工作温度Topr℃-10～+70储存温度Tstg℃-40～+85管脚焊接温度/时间Tsld℃/s260/10...
参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA100激光二极管反向电压Vr(LD)V2背光探测器工作电流If(PD)mA2背光探测器反向电压Vr(PD)V20致冷器工作电流ITEC A2.4致冷器工作电压VTECV2.9工作温度Topr℃-20～+70储存温度Tstg℃-40～+85管脚焊接温度/时间Tsld℃/s260/10...
参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA120激光二极管反向电压Vr(LD)V2背光探测器工作电流If(PD)mA2背光探测器反向电压Vr(PD)V20致冷器工作电流ITEC A2.4致冷器工作电压VTECV2.9工作温度Topr℃-20～+70储存温度Tstg℃-40～+85管脚焊接温度/时间Tsld℃/s260/10...
参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA300激光二极管反向电压Vr(LD)V2.5背光探测器工作电流If(PD)mA2背光探测器反向电压Vr(PD)V20致冷器工作电流ITEC A1.8致冷器工作电压VTECV4.3工作温度Topr℃-20～+70储存温度Tstg℃-40～+85管脚焊接温度/时间Tsld℃/s260/10...
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