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概述： SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可...
微电测试数字源表优势：◾ 性能强大-作为电压源和或电流源，并同步测量电流和或电压，支持四象限工作。可以限定电压或电流输出大小，预防器件损坏。覆盖0-3A的电流范围0-300V的电压范围，全量程测量精度0.03%。◾ 灵活多样-支持两线制和四线制测量，更准确的低内阻量测;集成线性阶梯扫描、对数阶梯扫描、自定义扫...
霍尔延时响应测试设备特点 1000A自动测试平台； 300A/us上升沿； 精度0.1%； 支持集成示波器、温控台； 正负极反转； 模块化设计； ...
普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。 进行 C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信号进行测量。一般使用的交流信号频率在10KHz 到1MHz之间。所加载的...
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概述： SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可...
E系列高压程控电源IGBT耐压测试特点和优势： 十ms级的上升沿和下降沿； 单台最大3500V的输出； 0.1%测试精度； 同步电流或电压测量； 支持程控恒压测流，恒流测压，便于扫描测试；详询一八一四零六六三四七六；部分技术参数最大输出功率：350W，3500V/100mA（不同型号有差异）；输出电压建立时间典型值：< 5ms；输出接口：E10...
型号：楔角片、分束片（Beam displacer) 适用范围：广泛应用于光纤通信领域，是光通信无源器件，如光隔离器、环形器、旋光器、延迟器、偏振器的关键材料 详细说明：是一种通常采用提拉法生长的晶体，具有良好的机械性质和物理性质，由于其具有宽透过波段和大的双折射率而成为制作光学偏振元器件的理想材料。在许多实用方面...
高精度的石英波片，又称为位相延迟片，主要使光信号产生相位延迟，从而管理光的偏振态，能对通过的光信号进行高精度的偏振管理，是光通信和激光行业广泛应用的重要元件。 规格： 等级：二分一半波片、四分一波片、真零级/零级…… 波长：850nm、980nm、1060nm、1260nm、1310nm、1420、1490nm、1550nm、1620nm…… 尺寸：1.9*1、...
抗激光膜石英棒：应用于大功率QBH切割头，尺寸有直径8MM等。TGG单晶：用于制作法拉第旋光器与隔离器的最佳磁光材料。 它具有大的磁光常数、高热导性、低的光损失和高激光损失阈值，广泛应用于YAG、掺Ti蓝宝石等多级放大、环形、种子注入激光器中。 尺寸：直径2.0--3.3mm，长度...
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