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Sion IL variation within PBdB<0.25Reflection isolation within PBdB>13TransmisSion PDL within PBdB<0.1CW temp. senSitivitypm/℃<2Reflection（AR coating on backSide）%<0.2A.O.I.°8±0.3 / 13.5±0.3DimenSion (L*W)mm0.77(±0.03)* 1.0(±0.03)or CustomizationThicknessmm0.60(±0.03)...
Sion IL variation within PBdB<0.25Reflection isolation within PBdB>13TransmisSion PDL within PBdB<0.1CW temp.senSitivitypm/℃<2Reflection (AR coating on backSide）%<0.2A.O.I.°1.8DimenSion (L*W)mm(1.4±0.05) * (1.4±0.05)Thicknessmm1.0 ± 0.05...
Sig噪声指数dB5.5增益平坦度dB3偏振相关增益dB0.5偏振模色散ps0.5输入/输出端隔离度dB40工作温度范围°C-2065工作湿度范围%70尾纤接头类型-FC/APC尾纤类型-SMF-28e 单模光纤供电方式-DC 5V 或 AC 220V尺寸mm台式 260×285×115模块 A : 90 × 70 × 15模块 B：150 × 125 × 20模块 C：150 × 125 × 30通信协议-RS232可选配功...
电动光延迟线产品特性 应用领域延迟机械装置 雷达测试、校准连续可靠工作&n...
光纤激光器简介光纤激光器采用DFB半导体激光芯片，单模光纤输出，专业设计的驱动电路与TEC控制保证激光安全稳定工作，可提供台式或模块式封装。特性 应用 功率和光谱稳定 ...
Sical internal connection2VCCPower Supply (3 or 5v)3STROBEFalling Edge Active (input)4GNDSignal Ground5D0Data 0 (input)6D1Data 1 (input)7D2Data 2 (input)8D3Data 3 (input)9UART TXUART Transmit (output)10UART RXUART Receive (input)11GNDCase Ground12RDYReady (output),used for internal debugging13MODE0=TALL, 1=UA...
SiC等•能量与效率特性测试，LED/AMOLED、太阳能电池、电池、DC-DC转换器等•传感器特性测试，电阻率、霍尔效应等•有机材料特性测试，电子墨水、印刷电子技术等 •纳米材料特性测试，石墨烯、纳米线等...
SiC(碳化硅)或GaN(氮化镓)的技术却极大扩展了高压、高速的分布区间。如何精确表征功率器件高流/高压下的I-V曲线或其它静态特性，这就对器件的测试工具提出更为严苛的挑战。 更高精度更高产量 并联应用要求测试精度提离，确保一致性 终端市场需求量大，要求测试效率提高，UPH提升 更宽泛的测试能力更宽的测试范围、更强的测试能力 更...
在半导体材料和器件的研究中，电性能测试是必不可少的环节。随着半导体技术的提升，微电子工艺逐渐复杂，如何对微电子材料器件进行高效率测试成为业内关注的重点。普赛斯仪表陆续推出多型号国产化数字源表SMU，为进一步打通测试融合壁垒，打造闭环解决方案，通过对半导体高端测试装备上下游产业链的垂直整合，晶圆级微电子材料器件测...
概述： SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可...
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