免费发布信息
igbt； 第三代半导体材料/器件； 有机OFET器件； LED、OLED、光电器件； 半导体电阻式等传感器； EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管； 电阻率系数和霍尔效应测量； 太阳能电池； 非易失性存储设备； 失效分析；更多有关晶体管特性图示仪详情找普赛斯仪表专员为您解答一八一四零六六三四七六...
igbt； 第三代半导体材料/器件； 有机OFET器件； LED、OLED、光电器件； 半导体电阻式等传感器； EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管； 电阻率系数和霍尔效应测量； 太阳能电池； 非易失性存储设备； 失效分析；...
E系列高压程控电源igbt耐压测试特点和优势： 十ms级的上升沿和下降沿； 单台最大3500V的输出； 0.1%测试精度； 同步电流或电压测量； 支持程控恒压测流，恒流测压，便于扫描测试；详询一八一四零六六三四七六；部分技术参数最大输出功率：350W，3500V/100mA（不同型号有差异）；输出电压建立时间典型值：< 5ms；输出接口：E10...
igbt器件igbt半桥模块 IPM模块武汉普赛斯仪表有限公司，是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品，专注于第三代半导体测试，提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。未来，普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表（SMU）的测试方案，以更优的测试能力、更准确的测量结果...
普赛斯功率器件测试设备+igbt模块测试仪,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量igbt功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询一八一四零六六三四七六；“双高”系统优势 高电...
半导体分立器件根据基材不同,可分为不同类型。以硅基半导体为基材时,半导体分立器件主要包括二极管(Diode)、三极管(BJT)、晶闸管(SCR)、场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(igbt)等；以宽禁带材料半导体为基材时,半导体分立器件主要包括:SiC.GaN半导体功率器件。二三极管iv测试仪iv曲线扫描仪认准普赛斯仪表，普赛斯数字源表集...
产品描述见合八方的半导体光放大器（SOA）系列产品，主要应用于40G/100G 1310nm（4波LWDM/CWDM）光放大。该系列产品基于清华大学光电集成微系统研究所的标准封装平台，采用密封的无机封装技术，保证了产品的可靠性。产品特点• 全工艺国产，自主可控• 低功耗，典型驱动电流120mA，满足高速ROSA低功耗需求• 支持温度...
igbt、传感器、小型模块组件光通讯（如：收发器 Transceiver 高低温测试、SFP 光模块高低温测试等）其它电子行业、航空航天新材料、实验室研究特点· 温度变化速率快，-55℃至+125℃之间转换最快仅需10秒· 有效温度范围，-65℃至+225℃· 结构紧凑，移动式设计· 触摸屏操作，人机交互界面· 快速DUT温度稳定时间· 温控精度±1℃，...
igbt、MOSFET、CMOS、BJT）功率逆变器/转换器电子镇流器工业/消费电子产品移动通信（电话、卫星、中继站）马达驱动器运输系统（电动车辆、电动火车、机车、航空电子设备） 满足当今的 AC/DC 电流测量应用TCPA300 放大器在与 TCP312A、TCP305A 或 TCP303 探头一起使用时，提供了一系列电流测量功能，弥补了小电流测量产品与超高电...
igbt、MOSFET、CMOS、BJT）功率逆变器/转换器电子镇流器工业/消费电子产品移动通信（电话、卫星、中继站）马达驱动器运输系统（电动车辆、电动火车、机车、航空电子设备） 寻找更多货源请登录:www.wl95.com或拨打电话0755-86016691。...
|