产品描述：
具备支持暗光（Dark）型能力，功耗更低、切换速度更快等特性。硅基VOA阵列器件内部为全固态芯片，具有百纳秒级的响应速度，八通道单片集成，功耗低，满足光传输、光传感系统对光衰减器高速响应、小型化、高可靠的需求。其响应速度比传统VOA提升4个数量级，达到100ns级，使WDM光网络中光功率快速控制成为可能。此外，其超低的光损耗可满足民用光网络应用要求，极高的集成度有助于大幅度减小模块尺寸，纯固态波导芯片使其具备卓越的可靠性。
关键特征：
100ns级高速响应、多至48通道单片集成、全固态波导芯片、超低光损耗。
典型应用：
通道间光功率均衡或阻塞、WDM网络光功率控制、1×1光开关、模拟信号调制（静态稳定、无需工作点反馈控制回路）。
主要指标（典型值）：
性能指标 | 单位 | 干涉型 | 吸收型 | 备注 |
工作波长 | nm | 1525～1565 |
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响应时间 | ns | 150 | 300 |
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插入损耗 | dB | 1.5 | 1.2 | 光纤进到光纤出的损耗 |
衰减范围 | dB | 18 | 25 |
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偏振相关性 | dB | ≤0.3 | ≤0.3 | @0dB衰减时 |
≤4 | ≤0.5 | @0~25d衰减时 | ||
功耗(@18dB衰减) | mW | 30 | 150 | 随衰减量增大而增大 |
集成度 | / | 8CH | 6CH/48CH |
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注：根据综合性能指标要求，芯片可基于上述两类结构组合设计。
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