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AOI 8 air type LWDM TFF filter是一款专门为自由空间技术的三维结构微型尺寸LWDM mux demux器件而设计的LWDM滤波片，它采用8度入射角设计来压缩LWDM器件的尺寸，采用入射面为波段反射面，透射面为对工作波长增透膜面的设计，适用光路无胶。它覆盖从1264.95nm到1332.41nm 全部16个常用O波段通道；膜层牢固度强，满足非气密性封装应用...
富光AOI 8°/13.5° epoxy type CWDM TFF filter 是专门为CWDM Z-BLOCK mux demux 光学组件而设计的CWDM滤波片，它采用8°/13.5°度大入射角设计来压缩BLOCK尺寸，采用粘接面为波长工作膜面设计来消除滤波片双面加工公差带给光斑光束的偏移误差。它具有面型品质高，便于粘接，光束平行度高；膜层牢固度强，满足非气密性封装应用...
富光科技AOI 1.8 air type CWDM TFF filter是一款专门为三端口结构CWDM mux demux器件而设计的CWDM应用滤波片，它采用入射面为波段反射面，透射面为对工作波长增透膜面的设计，适用光路无胶。它具有精准的全波段膜系透射和反射的节点管控准优势，不出现多通道器件（大于12个通道）工作波长范围内的掉点现象（在器件后端通道的通带内，...
光纤激光器简介光纤激光器采用DFB半导体激光芯片，单模光纤输出，专业设计的驱动电路与TEC控制保证激光安全稳定工作，可提供台式或模块式封装。特性 应用 功率和光谱稳定 ...
片属于电力电子芯片，需要工作在大电流、高电压、高频率的环境下，对芯片的可靠性要求较高，这给测试带来了一定的困难。市面上传统的测量技术或者仪器仪表一般可以覆盖器件特性的测试需求，但是宽禁带半导体器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化镓)的技术却极大扩展了高压、高速的分布区间。如何精确表征功率器件高流/高压下的I-V曲线或其它静态...
片、微小电子器件的测试。目前，普赛斯仪表已拥有涵盖直流源表、脉冲源表、窄脉冲源、大电流脉冲源、高电流源、高电压源、大功率激光器测试电源、插卡式源表、数据采集卡、脉冲恒压源等完整的国产化数字源表解决方案，可为不同领域、不同需求的用户提供全方位的测试支持，打造高效、灵活的微电子材料器件测试系统! ...
概述： SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可...
片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可靠性。 基于模块化的体系结构设计，SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要，灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量，同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量。SPA-6100半导体参数分析仪搭载普赛斯自主开发的专用...
片温度TL——15——35℃输出光功率PoCW——40——nw阈值电流IthTL=25℃————40mA正向电压VfPO=PL————2.5V中心波长入cPO=PLCW,20℃ITU中心波长nm线宽△入PO=PL，TL=25°C——1——MHZ偏振消光比PER————20——dB光隔离度ISO————32——dB单模抑制比SMSRPO=PL30————dB相对强度噪声RINCW,TL=25℃————-160dB/Hz背探...
片温度TL——15——35℃输出光功率PoCW——40——nw阈值电流IthTL=25℃————40mA正向电压VfPO=PL————2.5V中心波长入cPO=PLCW,20℃ITU中心波长nm线宽△入PO=PL，TL=25°C——1——MHZ偏振消光比PER————20——dB光隔离度ISO————32——dB单模抑制比SMSRPO=PL30————dB相对强度噪声RINCW,TL=25℃————-160dB/Hz背探...
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