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10 or1550插入耗损dB≤1.0（typical：0.8）波长相关耗损dB≤0.3温度相关耗损dB≤0.3偏振相关耗损dB≤0.15回波耗损dB≥50串扰值dB≥50重复性dB±0.05切换时间ms≤10使用寿命times≥10 billion控制电压V5最大承受光功率mw≤500使用温度℃-20~+70储存温度℃-40~+85尺寸mm34x24x11以上所有规格的损耗不包括连接头的损耗，并...
10kV) 具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联) 高精度测量 nA级漏电流, μΩ级导通电阻 0.1%精度测量 模块化配置 可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元 测试效率高 内置专用...
概述： SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可...
10V(≤3A量程)，土30V (≤1A量程),士300V (≤100mA量程)源限度-电流源:土3(≤10V量程)，土1A(≤30V量程)，士100mA (≤300V量程)轻松满足常用的测量需求 触摸屏幕上的任意图标，就会出现图像化设置屏幕。在测量前按照向导逐一设置，操作更直观。提供的应用程序 - 序列扫描- 自定义序列- 数据记录仪：持续输出恒压源测...
10nm15=1550nm35=1310/1550nmS=客户定A=1.0mB=1.5mC=2.0mS=客户定1=SMF-282=50/125μm3=62.5/125μm4=PM5=客户定0=无1=FC/APC2=FC/PC3=SC/APC4=SC/PC5=LC 按压式 偏振控制器 按压式 偏振控制器...
100ps0~330ps0~700ps0~1500ps分辨率0.05ps插入耗损典型.0.8dB,最大1.2dB重复性±0.5ps插入损耗变化±0.2dB 对应0- 100ps模块±0.3 dB 对应0- 330ps模块±0.4dB 对应0- 700ps模块±0.8 dB 对应1500PS模块回波损耗> 55 dB消光比>18 dB传输光功率光功率典型 500mW/可定制5W/10W/15W/20W/3...
霍尔延时响应测试设备特点 1000A自动测试平台； 300A/us上升沿； 精度0.1%； 支持集成示波器、温控台； 正负极反转； 模块化设计； ...
普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。 进行 C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信号进行测量。一般使用的交流信号频率在10KHz 到1MHz之间。所加载的...
100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可靠性。 基于...
机械式光开关产品特点应用插入损耗极低无源光网络体积小光保护系统低信道串扰测量系统高稳定性网络监控工作波长 （nm） 532~980（MM）532~980（SM）1260~1620（MM）1260~1620（SM）测试波长(可选)nm650/780/850/980650/780/850/9801310/1490/1550/16251310/1490/1550/1653插入损耗 &nb...
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