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1570nm DFB 激光器〖性能参数Performance Parameter〗 中心波长 (nm)Center wavelength(nm)1570 (±2nm)3dB线宽(HZM)3dB Linewidth(HZM) ≤3输出功率(w)Output power(w) 2短时间稳定性 (dB)Short-term stability (dB) ≤±0.005/15 min长时间稳定性(dB)Long-te...
2004nm DFB 光纤激光器 〖性能参数Performance Parameter〗中心波长 (nm)Center wavelength(nm)2004 (±2nm)3dB线宽(MHZ)3dBlinewidth(MHZ) ≤3输出功率(mw)Output power(mW) 10mw-...
光纤激光器雷达源Fiber Laser for LiDAR〖规格Specifications〗参数Parameter规格Specification单位Unit工作波长Operating Wavelength1,550nm重复率Repetition Rate1,000kHz脉冲宽度Pulse Width1 ~ 20ns平均功率Average Power1,000mW峰值功率Peak Power1kW通信协议Communication ProtocolRS232 耗Power Consum...
宽带RF直调DFB激光器Broadband RF Direct-tuned DFB Laser宽带RF直调DFB激光器Inno-8102 DFB是采用InGaAs/InP制作的MQW DFB激光器组件，集成了激光器组件、光隔离器，TEC，热敏电阻、监控光电二极管和宽带直流偏置，采用气密性7-PIN封装。〖最大值额定参数Absolute maximum ratings〗参数Parameter符号Symbol条件Condition最小值Min....
240V (50Hz/60Hz)外观尺寸Size260mm×285mm×115mm输出光纤种类Type of output fiberArmored cable...
24.520dB 衰减时20dB attenuation time工作湿度范围Operating humidity range% +65 尺寸Dimensionsmm芯片:15.5(L)×1.8(W)×0.5(H)Chip：15.5(L)×1.8(W)×0.5(H)器件；63(L)x9.7(W)x7.9(H)Component：63(L)x9.7(W)x7.9(H) ...
SOI芯片光电探测器阵列SOI Chip-based Photodetector ArraySOI芯片式光电探测器阵列，该产品基于硅基锗-硅光电探测器，实现了多通道光电探测器的单片化集成，可片上集成光学混频器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相关性小，模拟带宽大，可提供裸片或光电一体化封装产品方案〖性能指标Specifications〗参数指标Parameters 单...
SOI芯片可调光滤波器阵列SOI Chip-based Tunable Optical Filter〖性能指标Specifications〗参数指标Parameters 单位Unit最小值Min.典型值Typ. 最大值Max.备注Notes波长范围 Wavelength range nm1530—1570 nm 或 1270nm—1330 nm1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm 可调波长分辨率...
单片集成 6 比特光延时芯片Single-chip Integrated 6 Bit Optical Delay Chip〖简介Introduction〗 梓冠光电的单片集成 6 比特光延时芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产品。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅...
硅基单片集成 9bit 可调光时延线芯片Single-chip Integrated 9 Bit Optical Delay Chip〖简介Introduction〗 单片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术，是目前综合性能最优和集成度最高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构，芯片集...
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