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1800~2100nm中红外光源规格参数中心波长 (nm)1960（±10nm）输出功率 (mW)35mW,或更高带宽 (FWHM)85（±5nm）输出功率稳定性 (dB)±5% (30 分钟热身)输出光纤SMF-28工作温度（℃）5～ 35储存温度（℃）-10 ～65相对湿度 （％）20～80电源供应110/220V AC,+5VDC;>500mA尺寸(长×宽×高 mm)260×285×115...
1800~2100nm中红外激光器规格参数中心波长 (nm)1800~2100输出功率 (mW)35mW,或更高带宽 (FWHM)85（±5nm）输出功率稳定性 (dB)±5% (30 分钟热身)输出光纤SMF-28工作温度（℃）5～ 35储存温度（℃）-10 ～65相对湿度 （％）20～80电源供应110/220V AC,+5VDC;>500mA尺寸(长×宽×高 mm)260×285×115...
1870nm 光纤激光器应用 特点FBG光纤传感系统 具有高精度的ATC和APC控制电路光纤通信 高的稳定性和可靠性光无源器件测试 很窄的光谱光谱分析规格参数中心波长 (nm)18703dB线宽(MHZ)≤3输出功率(mw)10mw-3W短时间稳定性 (dB)≤±0.005/15 min长时间稳定性(dB)≤±0.02/8 hour工作模式CW尾纤类型SM-195 Fiber 可定输出连接头FC/APC...
半导体分立器件根据基材不同,可分为不同类型。以硅基半导体为基材时,半导体分立器件主要包括二极管(Diode)、三极管(BJT)、晶闸管(SCR)、场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等；以宽禁带材料半导体为基材时,半导体分立器件主要包括:SiC.GaN半导体功率器件。二三极管iv测试仪iv曲线扫描仪认准普赛斯仪表，普赛斯数字源表集...
240V 50/60Hz；工作环境：25±10℃；尺寸：106mm高×255mm宽×425mm长；S系列源表应用分立器件特性测试：电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、BJT三极管、MOSFET、SiC、GaN等器件；能量与效率特性测试：LED/AMOLED、太阳能、电池、DC/DC转换器；传感器特性测试：电阻率、霍尔效应等；有机材料特性测试：电子墨水、印刷...
参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA200激光二极管反向电压Vr(LD)V2背光探测器工作电流If(PD)mA2背光探测器反向电压Vr(PD)V20致冷器工作电流ITECA2.4致冷器工作电压VTECV2.9工作温度Topr℃-20～+70储存温度Tstg℃-40～+85管脚焊接温度/时间Tsld℃/s260（<10s）...
产品特点具有高增益、低功耗、低偏振相关损耗、高输出光功率（25dBm）、高消光比等特点 支持温度监测和 TEC 热电控制，确保全温度工作范围稳定运行定制化服务：可支持保偏、集成隔离器、集成 PD 光功率监控等更高集成度的器件订制 产品应用应用于分布式光纤传感系统中，替代声光调制器产生脉冲光。&nbs...
参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA2.5激光二极管反向电压Vr(LD)V2.5背光探测器工作电流If(PD)mA2背光探测器反向电压Vr(PD)V20致冷器工作电流ITECA2.4致冷器工作电压VTECV2.9工作温度Topr℃-10～+65储存温度Tstg℃-40～+85管脚焊接温度/时间Tsld℃/s260/10 ...
参数符号单位最小值典型值最大值备注输出功率Pomw10 20线宽为3MHZ 40 6040-60mw为线宽＜200khz窄线宽中心波长λcnmΛc-2λcΛc+2精确控制波长可选输出功率稳定性（8小时）Δpo_8hdb 0.01 光谱宽度（20dB）nmΔλ 0.2 /边模抑制比SMSRdB35 /工作电压VoV 220&nb...
24/32等规格的光纤传感通道数量，同步采样速率可在1~100Hz、3~2000Hz范围内设定。JH-FBG-C1光纤光栅解调仪适用于温度、应变、压力、位移、加速度等各种类型光纤光栅传感器的高速、同步、高精度数据采集，与国内外不同厂商的光纤光栅传感器具有良好的兼容性。应用领域 • 桥梁、大坝、隧道、建筑、边坡等土术工程结构安全监...
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