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Chip：15.5(L)×1.8(W)×0.5(H)器件；63(L)x9.7(W)x7.9(H)Component：63(L)x9.7(W)x7.9(H) ...
SOI芯片光电探测器阵列SOI Chip-based Photodetector ArraySOI芯片式光电探测器阵列，该产品基于硅基锗-硅光电探测器，实现了多通道光电探测器的单片化集成，可片上集成光学混频器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相关性小，模拟带宽大，可提供裸片或光电一体化封装产品方案〖性能指标Specifications〗参数指标Parameters 单...
SOI芯片可调光滤波器阵列SOI Chip-based Tunable Optical Filter〖性能指标Specifications〗参数指标Parameters 单位Unit最小值Min.典型值Typ. 最大值Max.备注Notes波长范围 Wavelength range nm1530—1570 nm 或 1270nm—1330 nm1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm 可调波长分辨率...
单片集成 6 比特光延时芯片Single-Chip Integrated 6 Bit Optical Delay Chip〖简介Introduction〗 梓冠光电的单片集成 6 比特光延时芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产品。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅...
硅基单片集成 9bit 可调光时延线芯片Single-Chip Integrated 9 Bit Optical Delay Chip〖简介Introduction〗 单片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术，是目前综合性能最优和集成度最高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构，芯片集...
Chip Dimensions Chip Dimensionsmm10(L)×5(W)×0.5(H)...
硅基单片集成 9bit 可调光延迟线芯片Silicon-based Single-Chip Integrated 9Bit VODL Chip〖简介Introduction〗 单片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术，是目前综合性能最优和集成度最高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构，芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路...
SOI芯片式高速多通道光衰减器SOI Chip-based High Speed Multichannel VOASOI芯片式多通通可调光衰减器，基于硅基载流子色散效应实现高速响应的可调光路衰减，实现多通道VOA器件单片化集成，芯片与多通道光纤阵列和外围驱动电路一体化光电封装，数字化驱动，偏振相关性小，衰减范围大，调节精度高，衰减值稳定，响应时间为...
SOI Chip-based High Speed Optical Switch ArraySOI芯片式高速光开关阵列，该产品基于硅基载流子色散效应实现纳秒级高速响应的光路切换，实现了多通道光开关阵列的单片化集成，芯片与多通道光纤和外围驱动电路一体化光电封装，热电混调，数字化驱动，偏振相关性小，插入损耗低。〖特性Features〗n 多通道Multi-c...
SOI芯片光电探测器阵列SOI芯片式光电探测器阵列，该产品基于硅基锗-硅光电探测器，实现了多通道光电探测器的单片化集成，可片上集成光学混频器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相关性小，模拟带宽大，可提供裸片或光电一体化封装产品方案。〖特性Features〗n 多通道Multi-channels n 高集成度芯片化Chip basedn 大模...
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