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SOI芯片光电探测器 在光通信、物联网及人工智能蓬勃发展的今天，高效、精准的光电转换技术成为支撑智能社会的关键。四川梓冠光电自主研发的SOI（绝缘体上硅）芯片光电探测器，凭借硅基锗-硅工艺的颠覆性创新，正引领着光电探测领域的新潮流。本文将深度解析其技术原理、核心参数、应用潜力及生产制造优势，为您揭示这一“硅基之...
SOI高速光开关阵列芯片 在5G/6G通信、数据中心及人工智能高速发展的今天，光通信技术正成为支撑未来信息社会的核心基石。作为光网络中的“智能交闸”，SOI（绝缘体上硅）高速光开关阵列以其纳秒级响应、高集成度及优异稳定性，成为光传输、交换与传感领域的革命性器件。 本文将以四川梓冠光电的SOI高速光开关阵列为例，深度解析...
Midity%RH5 to 90%RH Not condensed光纤抗侧拉强度/Tensile strengthN>5封装尺寸/Packaging Dimensionmm100x60x10 光纤类型/Fiber Type250um Corning Clear Curve Fiber, Or 0.9mm loose tube...
参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA120激光二极管反向电压Vr(LD)V2背光探测器工作电流If(PD)mA2背光探测器反向电压Vr(PD)V20致冷器工作电流ITEC A2.4致冷器工作电压VTECV2.9工作温度Topr℃-20～+70储存温度Tstg℃-40～+85管脚焊接温度/时间Tsld℃/s260/10...
参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA300激光二极管反向电压Vr(LD)V2.5背光探测器工作电流If(PD)mA2背光探测器反向电压Vr(PD)V20致冷器工作电流ITEC A1.8致冷器工作电压VTECV4.3工作温度Topr℃-20～+70储存温度Tstg℃-40～+85管脚焊接温度/时间Tsld℃/s260/10...
参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA100激光二极管反向电压Vr(LD)V2背光探测器工作电流If(PD)mA2背光探测器反向电压Vr(PD)V20致冷器工作电流ITEC A1.2致冷器工作电压VTECV4工作温度Topr℃0～+90储存温度Tstg℃-40～+85管脚焊接温度/时间Tsld℃/s260/10...
参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA400激光二极管反向电压Vr(LD)V3致冷器工作电流ITEC A1.8致冷器工作电压VTECV4工作温度Topr℃-10～+70储存温度Tstg℃-40～+85管脚焊接温度/时间Tsld℃/s260/10...
参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA120激光二极管反向电压Vr(LD)V2背光探测器工作电流If(PD)mA2背光探测器反向电压Vr(PD)V20致冷器工作电流ITEC A2.4致冷器工作电压VTECV2.9工作温度Topr℃-20～+70储存温度Tstg℃-40～+85管脚焊接温度/时间Tsld℃/s260/10...
参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA100激光二极管反向电压Vr(LD)V2背光探测器工作电流If(PD)mA2背光探测器反向电压Vr(PD)V20致冷器工作电流ITEC A2.4致冷器工作电压VTECV2.9工作温度Topr℃-20～+70储存温度Tstg℃-40～+85管脚焊接温度/时间Tsld℃/s260/10...
参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA120激光二极管反向电压Vr(LD)V2背光探测器工作电流If(PD)mA2背光探测器反向电压Vr(PD)V20致冷器工作电流ITEC A1.2致冷器工作电压VTECV4工作温度Topr℃-20～+70储存温度Tstg℃-40～+85管脚焊接温度/时间Tsld℃/s260/10...
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