免费发布信息
SFET、BJT、晶体管、IGBT； 第三代半导体材料/器件； 有机OFET器件； LED、OLED、光电器件； 半导体电阻式等传感器； EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管； 电阻率系数和霍尔效应测量； 太阳能电池； 非易失性存储设备； 失效分析；更多有关分立器件检测仪iv+cv测试仪详情找普赛斯仪表专员为您解答一八一四零六六三四七六...
SFET管测试；三极管测试- LIV：PIN管扫描测试- Gummer：双台源表使用同样参数进行扫描微电测试数字源表应用领域：分立器件特性测试：电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、BJT三极管、MOSFET、SiC、GaN等器件；能量与效率特性测试：LED/AMOLED、太阳能、电池、DC/DC转换器；传感器特性测试：电阻率、霍尔效...
SFET、BJT、晶体管、IGBT； 第三代半导体材料/器件； 有机OFET器件； LED、OLED、光电器件； 半导体电阻式等传感器； EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管； 电阻率系数和霍尔效应测量； 太阳能电池； 非易失性存储设备； 失效分析；更多有关晶体管特性图示仪详情找普赛斯仪表专员为您解答一八一四零六六三四七六...
SFET、BJT、晶体管、IGBT； 第三代半导体材料/器件； 有机OFET器件； LED、OLED、光电器件； 半导体电阻式等传感器； EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管； 电阻率系数和霍尔效应测量； 太阳能电池； 非易失性存储设备； 失效分析；...
半导体分立器件根据基材不同,可分为不同类型。以硅基半导体为基材时,半导体分立器件主要包括二极管(Diode)、三极管(BJT)、晶闸管(SCR)、场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等；以宽禁带材料半导体为基材时,半导体分立器件主要包括:SiC.GaN半导体功率器件。二三极管iv测试仪iv曲线扫描仪认准普赛斯仪表，普赛斯数字源表集...
SFET、SiC、GaN等器件；能量与效率特性测试：LED/AMOLED、太阳能、电池、DC/DC转换器；传感器特性测试：电阻率、霍尔效应等；有机材料特性测试：电子墨水、印刷电子技术等；纳米材料特性测试：石墨烯、纳米线等；激光器特性测试：窄脉冲LIV测试系统；功率器件：静态测试系统；电流传感器：动静态参数测试系统；...
产品特点具有高增益、低功耗、低偏振相关损耗、高输出光功率（25dBm）、高消光比等特点 支持温度监测和 TEC 热电控制，确保全温度工作范围稳定运行定制化服务：可支持保偏、集成隔离器、集成 PD 光功率监控等更高集成度的器件订制 产品应用应用于分布式光纤传感系统中，替代声光调制器产生脉冲光。&nbs...
产品特点芯片COC全工艺国产，自主可控高消光比、高增益、高输出光功率，低偏振损耗。性价比高，交期短，供货快，需求订制，快速迭代产品应用光纤传感系统中，替代声光调制器，实现光开关功能硅光子集成器件中，用于补偿光光路损耗激光雷达中，用于产生高功率激光脉冲光通信系统中，用于替代EDFA，实现1550nm的光放大典型特性产品规格...
产品亮点 S SOA芯片全国产，工艺自主可控 S 与主流SOA厂家结构尺寸一致，兼容性强 S 性价比高，交期短，供货快，需求订制，快速迭代 产品应用 S 蝶形或小box封装的半导体光放大器，用于40G/100G高速业务的光放大 S 集成在100G光模块的ROSA中，提高光功率预算 S 硅...
产品亮点 S 芯片全国产，工艺自主可控 S 与主流厂家结构尺寸一致，兼容性强 S 性价比高，交期短，供货快，需求订制，快速迭代 产品应用 S 光纤传感系统中，替代声光调制器，实现光开关功能 S 硅光子集成器件中，用于补偿光光路损耗 S 激光雷达中，用于产生高功率激...
|