SF28, QSFP-DD, and beyond. Specification: Parameter Unit Specifications Channel number CH 4 Channel center wavelengths nm 1295.56/1300.05/1304.58/1309.14 Opera...
SF28, QSFP-DD, and beyond Specification: Parameter Unit Specifications Channel number CH 4 Channel center wavelengths nm 1271,1291,1311,1331 ...
SF28, QSFP-DD, and beyond Specification: Parameter Unit Specifications Channel number CH 4 Channel center wavelengths nm 1271,1291,1311,1331 ...
富光科技Mini DWDM mux demux breakout cable产品是基于TFF技术和free space光程压缩的微型WDM技术平台,针对Breakout Cable所需的封装瘦身和出纤保护特点,进行二次开发而推出的新一代带DWDM合波分波功能的可分支光缆,它具有超低插损、超小截面积尺寸、激光焊接气密性封装、抗侧拉光纤保护和高温度稳定的特性,广泛应用于室内外DWDM...
SFET、SIC等•能量与效率特性测试,LED/AMOLED、太阳能电池、电池、DC-DC转换器等•传感器特性测试,电阻率、霍尔效应等•有机材料特性测试,电子墨水、印刷电子技术等 •纳米材料特性测试,石墨烯、纳米线等...
SFET. BJT、 IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试,并具有卓越的测量效率、一致性与可靠性。让任何工程师使用它都能变成行业专家。 针对用户不同测试场景的使用需求,普赛斯全新推出PMST功率器件静态参数测试系统、PMST-MP功率器件静态参数半自动化测试系统、PMST-AP功率器件静态参数...
SFET、BJT、晶体管、IGBT; 第三代半导体材料/器件; 有机OFET器件; LED、OLED、光电器件; 半导体电阻式等传感器; EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管; 电阻率系数和霍尔效应测量; 太阳能电池; 非易失性存储设备; 失效分析;更多有关分立器件检测仪iv+cv测试仪详情找普赛斯仪表专员为您解答一八一四零六六三四七六...
SFET管测试;三极管测试- LIV:PIN管扫描测试- Gummer:双台源表使用同样参数进行扫描微电测试数字源表应用领域:分立器件特性测试:电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、BJT三极管、MOSFET、SiC、GaN等器件;能量与效率特性测试:LED/AMOLED、太阳能、电池、DC/DC转换器;传感器特性测试:电阻率、霍尔效...
SFET、BJT、晶体管、IGBT; 第三代半导体材料/器件; 有机OFET器件; LED、OLED、光电器件; 半导体电阻式等传感器; EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管; 电阻率系数和霍尔效应测量; 太阳能电池; 非易失性存储设备; 失效分析;更多有关晶体管特性图示仪详情找普赛斯仪表专员为您解答一八一四零六六三四七六...
SFET、BJT、晶体管、IGBT; 第三代半导体材料/器件; 有机OFET器件; LED、OLED、光电器件; 半导体电阻式等传感器; EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管; 电阻率系数和霍尔效应测量; 太阳能电池; 非易失性存储设备; 失效分析;...