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在半导体材料和器件的研究中，电性能测试是必不可少的环节。随着半导体技术的提升，微电子工艺逐渐复杂，如何对微电子材料器件进行高效率测试成为业内关注的重点。普赛斯仪表陆续推出多型号国产化数字源表SMU，为进一步打通测试融合壁垒，打造闭环解决方案，通过对半导体高端测试装备上下游产业链的垂直整合，晶圆级微电子材料器件测...
SMU，简化测量 传统的半导体I-V特性测量方案通常是复杂且成本昂贵的，需要多种仪器配合完成测试，对不同仪器进行编程、同步、连接、测量和分析，既复杂又耗时，还需占用大量测试台空间。 S系列数字源表可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表，还可用作精密电子负载，其高性能架构允许其使用作为波形发生器、以...
普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。 进行 C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信号进行测量。一般使用的交流信号频率在10KHz 到1MHz之间。所加载的...
SMU）的测试方案，以更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力，联合更多行业客户，共同助力我国第三代半导体行业高可靠高质量发展。...
SMU)，集多种功能于一体。 精准、稳定、高效的电性能测试方案可为高校科研工作者、器件测试工程师及功率模块设计工程师提供测量所需的工具，大大提高测试效率。此外,基于核心的高精度数字源表，普赛斯还提供适当的电缆辅件和测试夹具，实现安全、可靠的测试。二三极管iv测试仪iv曲线扫描仪认准普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六...
产品特点具有高增益、低功耗、低偏振相关损耗、高输出光功率（25dBm）、高消光比等特点 支持温度监测和 TEC 热电控制，确保全温度工作范围稳定运行定制化服务：可支持保偏、集成隔离器、集成 PD 光功率监控等更高集成度的器件订制 产品应用应用于分布式光纤传感系统中，替代声光调制器产生脉冲光。&nbs...
产品特点芯片COC全工艺国产，自主可控高消光比、高增益、高输出光功率，低偏振损耗。性价比高，交期短，供货快，需求订制，快速迭代产品应用光纤传感系统中，替代声光调制器，实现光开关功能硅光子集成器件中，用于补偿光光路损耗激光雷达中，用于产生高功率激光脉冲光通信系统中，用于替代EDFA，实现1550nm的光放大典型特性产品规格...
产品特点 S 芯片COC全工艺国产，自主可控 S 与主流厂家结构尺寸一致，兼容性强 S 性价比高，交期短，供货快，需求订制，快速迭代 产品应用 S 蝶形或小box封装的SOA，用于高速业务信号的光放大 S 集成在100G光模块的ROSA或TOSA中，提高光功率预算 S 用于硅光子集成...
产品特点 具有高增益、低功耗、低偏振相关损耗、高输出光功率（25dBm）、高消光比等特点 支持温度监测和TEC热电控制，确保全温度工作范围稳定运行定制化服务：可支持保偏、集成隔离器、集成PD光功率监控等更高集成度的器件订制产品应用 应用于分布式光纤传感系统中，替代声光调制器产生脉冲光。 应用于1550nm固态...
产品描述见合八方的半导体光放大器（SOA）系列产品，主要应用于40G/100G 1310nm（4波LWDM/CWDM）光放大。该系列产品基于清华大学光电集成微系统研究所的标准封装平台，采用密封的无机封装技术，保证了产品的可靠性。产品特点• 全工艺国产，自主可控• 低功耗，典型驱动电流120mA，满足高速ROSA低功耗需求• 支持温度...
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