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SOI芯片光电探测器 在光通信、物联网及人工智能蓬勃发展的今天，高效、精准的光电转换技术成为支撑智能社会的关键。四川梓冠光电自主研发的SOI（绝缘体上硅）芯片光电探测器，凭借硅基锗-硅工艺的颠覆性创新，正引领着光电探测领域的新潮流。本文将深度解析其技术原理、核心参数、应用潜力及生产制造优势，为您揭示这一“硅基之...
SOI高速光开关阵列芯片 在5G/6G通信、数据中心及人工智能高速发展的今天，光通信技术正成为支撑未来信息社会的核心基石。作为光网络中的“智能交闸”，SOI（绝缘体上硅）高速光开关阵列以其纳秒级响应、高集成度及优异稳定性，成为光传输、交换与传感领域的革命性器件。 本文将以四川梓冠光电的SOI高速光开关阵列为例，深度解析...
SOI高速光开关阵列 SOI高速光开关阵列，该产品基于硅基载流子色散效应实现纳秒级高速响应的光路切换，实现了多通道光开关阵列的单片化集成，芯片与多通道光纤和外围驱动电路一体化光电封装，热电混调，数字化驱动，偏振相关性小，插入损耗低。 SOI高速光开关阵列特性多通道高集成度芯片...
SOI高速多通道光衰减器 SOI芯片式多通道可调光衰减器，基于硅基载流子色散效应实现高速响应的可调光路衰减，实现多通道VOA器件单片化集成，芯片与多通道光纤阵列和外围驱动电路一体化光电封装，数字化驱动，偏振相关性小，衰减范围大，调节精度高，衰减值稳定，响应时间为纳秒级，可在高速、低时延系统中应...
SOI高速多通道光衰减器 SOI芯片式多通道可调光衰减器，基于硅基载流子色散效应实现高速响应的可调光路衰减，实现多通道VOA器件单片化集成，芯片与多通道光纤阵列和外围驱动电路一体化光电封装，数字化驱动，偏振相关性小，衰减范围大，调节精度高，衰减值稳定，响应时间为纳秒级，可在高速、低时延系统中应...
单片集成 6 比特光延时芯片 梓冠光电的单片集成 6 比特光延时芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产品。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平...
SOI芯片可调光滤波器阵列SOI芯片式可调光滤波器阵列，该产品基于硅基热调谐微环结构，光滤波器的中心波长和隔离度可调，实现了多通道光滤波器的单片集成，通过特殊设计实现了偏振无关特性，光电封装，数字化驱动。SOI芯片可调光滤波器阵列特性多通道高集成度芯片化偏振无关SOI芯片可调光滤波器阵列应用领域光纤传感光纤通信光网络增益...
硅基单片集成 9bit 可调光延迟线芯片 单片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术，是目前综合性能最优和集成度最高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构，芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路，延时切换时间达到 200ns 以下，最大总时延量 1022ps；延时精度 0.5ps，片内...
SOI高速光开关阵列 SOI高速光开关阵列，该产品基于硅基载流子色散效应实现纳秒级高速响应的光路切换，实现了多通道光开关阵列的单片化集成，芯片与多通道光纤和外围驱动电路一体化光电封装，热电混调，数字化驱动，偏振相关性小，插入损耗低。 SOI高速光开关阵列特性多通道高集成度芯片...
产品特点具有高增益、低功耗、低偏振相关损耗、高输出光功率（25dBm）、高消光比等特点 支持温度监测和 TEC 热电控制，确保全温度工作范围稳定运行定制化服务：可支持保偏、集成隔离器、集成 PD 光功率监控等更高集成度的器件订制 产品应用应用于分布式光纤传感系统中，替代声光调制器产生脉冲光。&nbs...
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