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富光AOI 8°/13.5° epoxy type CWDM TFF filter&nbSP;是专门为CWDM Z-BLOCK mux demux 光学组件而设计的CWDM滤波片，它采用8°/13.5°度大入射角设计来压缩BLOCK尺寸，采用粘接面为波长工作膜面设计来消除滤波片双面加工公差带给光斑光束的偏移误差。它具有面型品质高，便于粘接，光束平行度高；膜层牢固度强，满足非气密性封装应用...
SP;产品特性：Ø低插入损耗；Ø高通道隔离度；Ø卓越的可靠性和稳定性；Ø符合Telcordia GR-1121和GR1209标准。&nbSP;产品应用：Ø高速收发器；ØWDM PON网络；Ø5G前传和城域网；Ø仪器和实验室。&nbSP;技术指标：ParametersUnitSPecificationsMounting/Air-typeOperating wavelength rangenm1260&n...
&nbSP; &nbSP;掺饵光纤放大器简介高功率光纤放大器是专用于光纤激光或光纤通信系统的光功率放大器产品系列，具有高增益和低噪声的优点，支持上位机软件控制，体积小巧便于集成，可提供台式或模块式封装。特性应用宽工作波长范围光纤通信高增益系数高光纤传感高动态范围光纤激光器参数指标单位最小值1550典型值最大值备注波长范围nm131...
电动光延迟线产品特性&nbSP;&nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP;应用领域延迟机械装置 &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP;&nbSP;雷达测试、校准连续可靠工作&n...
光纤激光器简介光纤激光器采用DFB半导体激光芯片，单模光纤输出，专业设计的驱动电路与TEC控制保证激光安全稳定工作，可提供台式或模块式封装。特性&nbSP;&nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP;&nbSP;应用&nbSP;&nbSP; &nbSP;功率和光谱稳定&nbSP;&nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP;...
MEMS光开关特性&nbSP;&nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP;应用无移动组件&nbSP;&nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP;&nbSP;无源光网络切换速度快&nbSP;&nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP;&nbSP;光保护系统极其稳定的锁存模块&nbSP;&nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP;&nbSP;...
SP;&nbSP; •5寸触摸显示屏全图形化操作 &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP; &nbSP;•内置强大的功能软件，加速用户完成测试，如LIV、PIV•源及测量的准确度为0.03%•四象限工作（源和阱），源及测量范围广：电流低至1pA，电压高至300V•Z小脉冲宽度200μs•丰富的扫...
SP;产品特点 &nbSP;高电压、大电流 &nbSP;具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(最大可扩展至10kV) &nbSP;具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联) &nbSP;高精度测量 &nbSP;&nbSP;nA级漏电流, μΩ级导通电阻 &nbSP;&nbSP;0.1%精度测量 &nbSP;&nbSP;模块化配置 &nbSP;&nbSP;可根据实际测试需要灵活配置多种测量...
在半导体材料和器件的研究中，电性能测试是必不可少的环节。随着半导体技术的提升，微电子工艺逐渐复杂，如何对微电子材料器件进行高效率测试成为业内关注的重点。普赛斯仪表陆续推出多型号国产化数字源表SMU，为进一步打通测试融合壁垒，打造闭环解决方案，通过对半导体高端测试装备上下游产业链的垂直整合，晶圆级微电子材料器件测...
概述： SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可...
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