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半导体分立器件根据基材不同,可分为不同类型。以硅基半导体为基材时,半导体分立器件主要包括二极管(Diode)、三极管(BJT)、晶闸管(SCR)、场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等；以宽禁带材料半导体为基材时,半导体分立器件主要包括:SiC.GaN半导体功率器件。二三极管iv测试仪iv曲线扫描仪认准普赛斯仪表，普赛斯数字源表集...
高精密数字源表国产电流源认准普赛斯仪表，普赛斯仪表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%，直流电流升级至3A，可为半导体行业提供更加精准、稳定的测试方案，详询一八一四零六六三四七六； S型数字源表应用优势：1、多功能测量需求下的广泛的适应性，电压高达300V，...
参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA200激光二极管反向电压Vr(LD)V2背光探测器工作电流If(PD)mA2背光探测器反向电压Vr(PD)V20致冷器工作电流ITECA2.4致冷器工作电压VTECV2.9工作温度Topr℃-20～+70储存温度Tstg℃-40～+85管脚焊接温度/时间Tsld℃/s260（<10s）...
参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA100激光二极管反向电压Vr(LD)V2背光探测器工作电流If(PD)mA2背光探测器反向电压Vr(PD)V20致冷器工作电流ITEC A1.2致冷器工作电压VTECV4工作温度Topr℃0～+90储存温度Tstg℃-40～+85管脚焊接温度/时间Tsld℃/s260/10...
参数符号最小最大单位激光器反向电压VRLMAX—2.0V正向电流IFLMAX—150mA工作温度范围TO-2070℃贮藏温度范围Tstg-4085℃光电二极管反向电压VRPDMAX—10V光电二极管正向电流IFPDMAX—2mA热敏电阻温度——100℃制冷器工作电流——1.9A...
参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA400激光二极管反向电压Vr(LD)V3致冷器工作电流ITEC A1.8致冷器工作电压VTECV4工作温度Topr℃-10～+70储存温度Tstg℃-40～+85管脚焊接温度/时间Tsld℃/s260/10...
参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA100激光二极管反向电压Vr(LD)V2背光探测器工作电流If(PD)mA2背光探测器反向电压Vr(PD)V20致冷器工作电流ITEC A2.4致冷器工作电压VTECV2.9工作温度Topr℃-20～+70储存温度Tstg℃-40～+85管脚焊接温度/时间Tsld℃/s260/10...
参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA120激光二极管反向电压Vr(LD)V2背光探测器工作电流If(PD)mA2背光探测器反向电压Vr(PD)V20致冷器工作电流ITEC A2.4致冷器工作电压VTECV2.9工作温度Topr℃-20～+70储存温度Tstg℃-40～+85管脚焊接温度/时间Tsld℃/s260/10...
参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA300激光二极管反向电压Vr(LD)V2.5背光探测器工作电流If(PD)mA2背光探测器反向电压Vr(PD)V20致冷器工作电流ITEC A1.8致冷器工作电压VTECV4.3工作温度Topr℃-20～+70储存温度Tstg℃-40～+85管脚焊接温度/时间Tsld℃/s260/10...
参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA120激光二极管反向电压Vr(LD)V2背光探测器工作电流If(PD)mA2背光探测器反向电压Vr(PD)V20致冷器工作电流ITEC A2.4致冷器工作电压VTECV2.9工作温度Topr℃-20～+70储存温度Tstg℃-40～+85管脚焊接温度/时间Tsld℃/s260/10...
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