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SLED 超宽带光源〖规格参数Specification〗中心波长(nm)Parameters1250 ~1650谱宽(nm)Central wavelength(nm)400输出功率(mw）≥7（可调）频谱密度(dB/nm)- 30~-20输出功率短期稳定性≤±0.02dB/15min输出功率长期稳定...
ive intensity noiseRINCW,TL=25℃————-160dB/Hz背探光电流Back probe photocurrentImonVrpd=5V9——150μA/mW热敏电阻Thermal resistorRtT=25℃9.5——10.5KΩTEC电流TEC currentIc△T=40º————1.5ATEC电压TEC voltageVc△T=40º————4.0V...
ive intensity noise@>3MHzdB/Hz<-110dB/Hz@ROF peak, <-120dB/Hz@1MHz相位噪声@1-9.5KHzPhase noise@1-9.5KHzdB< -110功率不稳定性 @>3hRelative intensity noise@>3MHz-<1%输出光纤类型Phase noise@1-9.5KHzPower supply-SMF-28e 单模光纤或 保偏光纤 PM1550SMF-28e Single fiber Or Polarization fiber...
ive humidity (%)20～80电源供应Power supply110/220V AC,+5V DC;>500mA尺寸(长×宽×高 mm)Dimensions (L×W×H mm)260×285×115〖订货信息ordering information〗ZG类型Type输出功率Output Power连接器Connector M=ModuleD=Desk-top10=10mW50=5mFC/UPCFC/APC...
1250-1650nm SLED 超宽带光源1250-1650nm SLED Ultra-broadband Light Source 〖规格参数Specification〗中心波长(nm)Parameters1250 ~1650谱宽(nm)Central wavelength(nm)400输出功率(mw）Spectrum widh(nm)≥7频谱密度(dB/nm)Output power(mw）- 30~-20Rippler(dB)...
普赛斯功率器件测试设备+igbt模块测试仪,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询一八一四零六六三四七六；“双高”系统优势 高电...
半导体分立器件根据基材不同,可分为不同类型。以硅基半导体为基材时,半导体分立器件主要包括二极管(Diode)、三极管(BJT)、晶闸管(SCR)、场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等；以宽禁带材料半导体为基材时,半导体分立器件主要包括:SiC.GaN半导体功率器件。二三极管iv测试仪iv曲线扫描仪认准普赛斯仪表，普赛斯数字源表集...
iv、Piv源及测量的准确度为0.03%四象限工作（源和肼），源及测量范围：高至300V，低至3pA丰富的扫描模式，支持线性扫描、指数扫描及用户自定义扫描支持USB存储，一键导出测试报告支持多种通讯方式，RS-232、GPIB及以太网技术参数Z大输出功率：30W，4象限源或肼模式；源限度：电压源：±10V（≤3A量程），±30V（≤1A量程），±300V（...
产品特点具有高增益、低功耗、低偏振相关损耗、高输出光功率（25dBm）、高消光比等特点 支持温度监测和 TEC 热电控制，确保全温度工作范围稳定运行定制化服务：可支持保偏、集成隔离器、集成 PD 光功率监控等更高集成度的器件订制 产品应用应用于分布式光纤传感系统中，替代声光调制器产生脉冲光。&nbs...
产品特点芯片COC全工艺国产，自主可控高消光比、高增益、高输出光功率，低偏振损耗。性价比高，交期短，供货快，需求订制，快速迭代产品应用光纤传感系统中，替代声光调制器，实现光开关功能硅光子集成器件中，用于补偿光光路损耗激光雷达中，用于产生高功率激光脉冲光通信系统中，用于替代EDFA，实现1550nm的光放大典型特性产品规格...
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