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硅基单片集成 9bit 可调光时延线芯片Single-Chip Integrated 9 Bit Optical Delay Chip〖简介Introduction〗 单片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术，是目前综合性能最优和集成度最高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构，芯片集...
Chip Dimensions Chip Dimensionsmm10(L)×5(W)×0.5(H)...
硅基单片集成 9bit 可调光延迟线芯片Silicon-based Single-Chip Integrated 9Bit VODL Chip〖简介Introduction〗 单片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术，是目前综合性能最优和集成度最高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构，芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路...
SOI芯片式高速多通道光衰减器SOI Chip-based High Speed Multichannel VOASOI芯片式多通通可调光衰减器，基于硅基载流子色散效应实现高速响应的可调光路衰减，实现多通道VOA器件单片化集成，芯片与多通道光纤阵列和外围驱动电路一体化光电封装，数字化驱动，偏振相关性小，衰减范围大，调节精度高，衰减值稳定，响应时间为...
SOI Chip-based High Speed Optical Switch ArraySOI芯片式高速光开关阵列，该产品基于硅基载流子色散效应实现纳秒级高速响应的光路切换，实现了多通道光开关阵列的单片化集成，芯片与多通道光纤和外围驱动电路一体化光电封装，热电混调，数字化驱动，偏振相关性小，插入损耗低。〖特性Features〗n 多通道Multi-c...
SOI芯片光电探测器阵列SOI芯片式光电探测器阵列，该产品基于硅基锗-硅光电探测器，实现了多通道光电探测器的单片化集成，可片上集成光学混频器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相关性小，模拟带宽大，可提供裸片或光电一体化封装产品方案。〖特性Features〗n 多通道Multi-channels n 高集成度芯片化Chip basedn 大模...
Key Features· Up to 40 channels at 100 GHz spacing or up to 80 channels at 50GHz spacing· O- band or C- band or L-band· EML Tunable Chip· Simple tuning algorithm· 10 - 25 Gbps EA modulation· Small package size Applications· WDM-PON· Colorless ONU· Intelligent optical interconnects·...
模块采用多泵浦激光器合波技术，通过不同类型泵浦激光器的组合以及光纤类型的匹配，实现C波段范围内增益平坦、低噪声光信号放大。特别针对拉曼放大器的安全性，模块设计自动泵浦激光器关闭功能，可根据不同类型的事件，如断纤、线路老化等，自动关闭激光器输出，以保障人身安全。模块内置驱动电路与逻辑控制电路，对泵浦激光器温度、...
模块采用多泵浦激光器合波技术，通过不同类型泵浦激光器的组合以及光纤类型的匹配，实现C波段范围内增益平坦、低噪声光信号放大。特别针对拉曼放大器的安全性，模块设计自动泵浦激光器关闭功能，可根据不同类型的事件，如断纤、线路老化等，自动关闭激光器输出，以保障人身安全。模块内置驱动电路与逻辑控制电路，对泵浦激光器温度、...
掺铥石英光纤用于1.9 - 2.1um波段的光纤激光器或光纤放大器，其泵浦波长可选择793nm、1180nm及1550nm。通过光纤内部掺杂高浓度的铥，提供了更高效率避免光子暗化，同时交叉弛效应激发相邻离子发射更长波长的光，使斜率效率随着掺杂浓度增大而提高。 ...
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