硅基单片集成 9bit 可调光时延线芯片
Single-chip Integrated 9 Bit Optical Delay Chip
〖简介Introduction〗
单片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术，是目前综合性能最优和集成度最高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构，芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路，延时切换时间达到 200ns 以下，最大总时延量 1022ps；延时精度 0.5ps，片内单级延时损耗低至 0.8dB/bit。相比于传统采用微波传输线的电时延芯片，光时延器可以适用任意的微波和毫米波频段，具有极低的串扰和极高的非目标时延信号消光比。最大时延 1ns 的 9bit 可调光延时芯片尺寸小至 2cm×1.5cm，大幅度减小系统体积；由于光载波频率相对于微波信号大至 4 个数量级的频率比，光子集成的时延器芯片具有覆盖从米波到毫米波全频段的信号处理能力，适合各类超宽带相控阵的波束合成应用。
性能指标/Parameter | 单位/Unit | 典型值/Typ. | 备注/Notes |
工作波长/Operationwavelength | nm | 1530-1570 |
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延时位数/Delay bits | / | 9 | 可定制/Can be customized |
最小延时步进/Min.step-delay | ps | 2 | 可定制/Can be customized |
可调节最大延时量/Adjustable max.delay | ps | 1022 |
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延时精度 | ps | ±0.5 | ≤16ps 延时量 |
±1 | 18~64ps 延时量 | ||
±2 | 66~512ps 延时量 | ||
±3 | 514~1022ps 延时量 | ||
延时切换时间/Delay switching time | ns | 200 |
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插入损耗/Insertion loss | dB | 11 | 13dB max |
各延时态损耗差异/Delay state loss difference | dB | ±1 |
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耐受光功率 | dBm | 23 | 26dBm max |
回波损耗/Return loss | dB | 45 |
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芯片尺寸/Chip dimension | mm | 20×15×0.7 |
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