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ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS 序号NO参数PARAMETER规格SPECIFICATION单位UNITS 3.1 操作温度Operation Temperature-5 ~ +70 °C 3.2 操作湿度Operation Humidity5 ~ 95 %RH 3.3 储存温度Storage Temperature-40 ~ 85 °C 4电接口定义 ELECTRIC PORTS DEFINITION 序...
声光驱动电源1.概述 Overview本文档规定了此款驱动电源的功能和技术指标，并对设备的接口、结构设计、质量保证、售后服务和包装等提出要求，是设备开展生产和交付的依据。2.技术要求technical requirement2.1功能及性能Function and performance2.1.1功能要求Functional requirementsa) 输出信号频率：200Ma) Output signal freq...
模拟声光驱动电源 Analog Acousto-optic Drive Power Model：GA-RF-M-080M-2.5W-R2技术要求 Technical Requirements1.功能及性能Functions and Perf...
光纤激光器雷达源Fiber Laser for LiDAR〖规格Specifications〗参数Parameter规格Specification单位Unit工作波长Operating Wavelength1,550nm重复率Repetition Rate1,000kHz脉冲宽度Pulse Width1 ~ 20ns平均功率Average Power1,000mW峰值功率Peak Power1kW通信协议Communication ProtocolRS232 耗Power Consum...
宽带RF直调DFB激光器Broadband RF Direct-tuned DFB Laser宽带RF直调DFB激光器Inno-8102 DFB是采用InGaAs/InP制作的MQW DFB激光器组件，集成了激光器组件、光隔离器，TEC，热敏电阻、监控光电二极管和宽带直流偏置，采用气密性7-PIN封装。〖最大值额定参数ABSolute maximum ratings〗参数Parameter符号Symbol条件Condition最小值Min....
SOI高速多通道光衰减器SOI High Speed Multichannel VOASOI芯片式多通道可调光衰减器，基于硅基载流子色散效应实现高速响应的可调光路衰减，实现多通道VOA器件单片化集成，芯片与多通道光纤阵列和外围驱动电路一体化光电封装，数字化驱动，偏振相关性小，衰减范围大，调节精度高，衰减值稳定，响应时间为纳秒级，可在高速、低时延系统...
SOI芯片光电探测器阵列SOI Chip-based Photodetector ArraySOI芯片式光电探测器阵列，该产品基于硅基锗-硅光电探测器，实现了多通道光电探测器的单片化集成，可片上集成光学混频器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相关性小，模拟带宽大，可提供裸片或光电一体化封装产品方案〖性能指标Specifications〗参数指标Parameters 单...
SOI芯片可调光滤波器阵列SOI Chip-based Tunable Optical Filter〖性能指标Specifications〗参数指标Parameters 单位Unit最小值Min.典型值Typ. 最大值Max.备注Notes波长范围 Wavelength range nm1530—1570 nm 或 1270nm—1330 nm1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm 可调波长分辨率...
单片集成 6 比特光延时芯片Single-chip Integrated 6 Bit Optical Delay Chip〖简介Introduction〗 梓冠光电的单片集成 6 比特光延时芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产品。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅...
硅基单片集成 9bit 可调光时延线芯片Single-chip Integrated 9 Bit Optical Delay Chip〖简介Introduction〗 单片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术，是目前综合性能最优和集成度最高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构，芯片集...
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