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SOI芯片光电探测器

发布时间:2025-03-28 信息有效期:3000天 浏览:150举报
SOI芯片光电探测器
  • 信息分类:通信IC - 其他光通信芯片
  • 所在区域:四川省 - 绵阳市
  • 有效日期:3000天
  • 信息类型:产品信息
  • 四川梓冠光电科技有限公司

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SOI芯片光电探测器

  在光通信、物联网及人工智能蓬勃发展的今天,高效、精准的光电转换技术成为支撑智能社会的关键。四川梓冠光电自主研发的SOI(绝缘体上硅)芯片光电探测器,凭借硅基锗-硅工艺的颠覆性创新,正引领着光电探测领域的新潮流。本文将深度解析其技术原理、核心参数、应用潜力及生产制造优势,为您揭示这一“硅基之眼”如何赋能产业升级。

  一、工作原理:SOI结构的光电转换奥秘

  SOI芯片光电探测器采用三层结构:顶层硅(器件层)、绝缘层(BOX)和基底硅。其工作原理基于内光电效应:

  1、光吸收与载流子激发:当入射光穿透顶层硅时,光子能量被吸收,激发电子从价带跃迁至导带,形成光生载流子;

  2、载流子收集:绝缘层(BOX)提供电气隔离,有效抑制漏电流,使光生载流子被高效收集;

  3、电信号输出:载流子通过金属电极输出为电信号,实现光-电转换。

  该结构相比传统探测器,寄生电容降低60%,频率响应提升3倍,尤其适合高频光信号探测。

  二、核心参数:定义性能新标杆

  1、波长范围:1530-1570nm1270-1330nm;覆盖C/L波段,兼容主流通信系统

  2、响应度:0.85A/WInGaAs探测器提升40%

  3、暗电流:35nA;低于同类SOI探测器50%

  4、带宽:28GHz;支持50Gbps以上速率探测

  5、偏振相关损耗:≤0.3dB;优于大多数硅基探测器

  6、光纤接入损耗:≤0.5dB;确保高效光耦合

  SOI芯片光电探测器

  三、产品特点:六大优势重塑应用场景

  1、高频宽适配:28GHz模拟带宽,支持50Gbps以上高速光信号探测;

  2、抗辐射设计:通过航天级辐射测试,适用于卫星通信等极端环境;

  3、低功耗架构:暗电流仅35nA,功耗较传统方案降低70%

  4、热稳定性强:工作温度范围-20℃至50℃,无主动散热需求;

  5、封装可靠性:通过Telcordia GR-1221认证,寿命超10万小时;

  6、工艺兼容性:与CMOS工艺完全兼容,支持光子-电子协同集成。

  四、应用领域:从通信到传感的全域覆盖

  1、光纤通信:

  电信设备商(华为、中兴)用于100G/400G光模块接收端,提升信号质量;

  数据中心(阿里云、腾讯云)部署于光互连系统,降低传输误码率。

  2、科研与工业传感:

  高校/研究院所(清华、中科院)用于量子通信中的单光子探测;

  工业自动化(西门子、ABB)集成于光纤传感器,实现精密位移测量。

  3、医疗健康:

  医疗设备商(迈瑞医疗、联影)用于内窥镜成像,提升图像信噪比;

  生物检测(华大基因)用于基因测序仪,提高荧光信号检测精度。

关键字芯片 光电 探测器 SOI
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