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在半导体材料和器件的研究中，电性能测试是必不可少的环节。随着半导体技术的提升，微电子工艺逐渐复杂，如何对微电子材料器件进行高效率测试成为业内关注的重点。普赛斯仪表陆续推出多型号国产化数字源表SMU，为进一步打通测试融合壁垒，打造闭环解决方案，通过对半导体高端测试装备上下游产业链的垂直整合，晶圆级微电子材料器件测...

静态特性测试挑战 随着半导体制程工艺不断提升，测试和验证也变得更加重要。通常，主要的功率半导体器件特性分为静态特性、动态特性、开关特性。静态参数特性主要是表征器件本征特性指标，与工作条件无关的相关参数，如很多功率器件的的静态直流参数(如击穿电压、漏电流、阈值电压、跨导、压降、导通内阻)等。 功率半导体器件是一种复...

PXOOB系列多功能脉冲源表脉冲IV测试仪是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表，汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能，Z大脉冲输出电流达30A，Z大输出电压达300V，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。PXOOB系列源表适用于各行各业使用者，特别适合现代半导体、纳米器件和材料、...

概述： SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可...

微电测试数字源表优势：◾ 性能强大-作为电压源和或电流源，并同步测量电流和或电压，支持四象限工作。可以限定电压或电流输出大小，预防器件损坏。覆盖0-3A的电流范围0-300V的电压范围，全量程测量精度0.03%。◾ 灵活多样-支持两线制和四线制测量，更准确的低内阻量测;集成线性阶梯扫描、对数阶梯扫描、自定义扫...

霍尔延时响应测试设备特点  1000A自动测试平台； 300A/us上升沿；    精度0.1%；  支持集成示波器、温控台； 正负极反转；             模块化设计；               ...

普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。 进行 C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信号进行测量。一般使用的交流信号频率在10KHz 到1MHz之间。所加载的...

普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、脉冲恒流源、脉冲恒压源、功率器件静态测试系统、大功率激光器老化测试系统等测试设备，广泛应用于高校研究所、实验室，新能源，光伏，风电，轨交，变频器等场景。普赛斯全新升级S系列数字源表更大直流,更高精度,科研实验必...

HCPL100脉冲大电流源1000A脉冲恒流源特点和优势： 50~500us的脉冲宽度连续可调； 15us的超快上升沿； 同步测量电压； 单台最大可达1000A输出； 可极性反转； 0.1%测试精度；详询一八一四零六六三四七六；技术指标电流脉宽  50μs~500μs脉冲电流上升沿时间 典型时间15us输出脉冲电流 5 ~1000A量程，精度0.1%FS±1A输...

普赛斯功率器件测试设备+igbt模块测试仪,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询一八一四零六六三四七六；“双高”系统优势    高电...